分析化学
分析化學
분석화학
CHINESE JOURNAL OF ANALYTICAL CHEMISTRY
2006年
z1期
5-9
,共5页
李江文%赵发琼%肖萍%曾百肇
李江文%趙髮瓊%肖萍%曾百肇
리강문%조발경%초평%증백조
氯丙嗪%离子液体%玻碳电极%伏安法
氯丙嗪%離子液體%玻碳電極%伏安法
록병진%리자액체%파탄전겁%복안법
对氯丙嗪(CPZ)在离子液体BMIMPF6修饰玻碳电极(BMIMPF6/GC)上的伏安行为进行了研究.发现CPZ在该修饰电极上于065V左右产生氧化还原峰,峰的可逆性比玻碳电极(GC)有较大改进,其电极过程为吸附控制.在0050 mol/L磷酸缓冲溶液(pH 4)中,CPZ在BMIMPF6/GC上的氧化峰的峰电流约为GC上的2倍.在优化实验条件的基础上,采用微分脉冲伏安法对不同浓度CPZ溶液进行了测定.结果表明,CPZ在BMIMPF6/GC上的氧化峰电流与浓度在56×10-9～30 ×10-5mol/L范围内有线性关系.将此方法用于尿样的测定,其加入回收率为97％左右.用3种电极测定了CPZ的表观扩散系数,其大小为D(BMIMPF6/GC)＞DOMIMBF6/GC)＞D(GC),这与电极表面积变化及膜内扩散有一定关系.
對氯丙嗪(CPZ)在離子液體BMIMPF6脩飾玻碳電極(BMIMPF6/GC)上的伏安行為進行瞭研究.髮現CPZ在該脩飾電極上于065V左右產生氧化還原峰,峰的可逆性比玻碳電極(GC)有較大改進,其電極過程為吸附控製.在0050 mol/L燐痠緩遲溶液(pH 4)中,CPZ在BMIMPF6/GC上的氧化峰的峰電流約為GC上的2倍.在優化實驗條件的基礎上,採用微分脈遲伏安法對不同濃度CPZ溶液進行瞭測定.結果錶明,CPZ在BMIMPF6/GC上的氧化峰電流與濃度在56×10-9～30 ×10-5mol/L範圍內有線性關繫.將此方法用于尿樣的測定,其加入迴收率為97％左右.用3種電極測定瞭CPZ的錶觀擴散繫數,其大小為D(BMIMPF6/GC)＞DOMIMBF6/GC)＞D(GC),這與電極錶麵積變化及膜內擴散有一定關繫.
대록병진(CPZ)재리자액체BMIMPF6수식파탄전겁(BMIMPF6/GC)상적복안행위진행료연구.발현CPZ재해수식전겁상우065V좌우산생양화환원봉,봉적가역성비파탄전겁(GC)유교대개진,기전겁과정위흡부공제.재0050 mol/L린산완충용액(pH 4)중,CPZ재BMIMPF6/GC상적양화봉적봉전류약위GC상적2배.재우화실험조건적기출상,채용미분맥충복안법대불동농도CPZ용액진행료측정.결과표명,CPZ재BMIMPF6/GC상적양화봉전류여농도재56×10-9～30 ×10-5mol/L범위내유선성관계.장차방법용우뇨양적측정,기가입회수솔위97％좌우.용3충전겁측정료CPZ적표관확산계수,기대소위D(BMIMPF6/GC)＞DOMIMBF6/GC)＞D(GC),저여전겁표면적변화급막내확산유일정관계.
