现代电子技术
現代電子技術
현대전자기술
MODERN ELECTRONICS TECHNIQUE
2006年
11期
71-74,78
,共5页
高压%功率MOSFET%结终端保护%场板%场限环
高壓%功率MOSFET%結終耑保護%場闆%場限環
고압%공솔MOSFET%결종단보호%장판%장한배
场板与场限环是用来提高功率MOSFET抗电压击穿能力的常用结终端保护技术,文章将分别介绍场板与场限环结终端保护技术各自的特点和耐压敏感参数,通过场板和场限环的互补组合来优化设计一款高耐压的VDMOS器件结构,最后采用ATHENA(工艺模拟)和ATLAS(器件模拟)工具来仿真验证优化设计的结果.
場闆與場限環是用來提高功率MOSFET抗電壓擊穿能力的常用結終耑保護技術,文章將分彆介紹場闆與場限環結終耑保護技術各自的特點和耐壓敏感參數,通過場闆和場限環的互補組閤來優化設計一款高耐壓的VDMOS器件結構,最後採用ATHENA(工藝模擬)和ATLAS(器件模擬)工具來倣真驗證優化設計的結果.
장판여장한배시용래제고공솔MOSFET항전압격천능력적상용결종단보호기술,문장장분별개소장판여장한배결종단보호기술각자적특점화내압민감삼수,통과장판화장한배적호보조합래우화설계일관고내압적VDMOS기건결구,최후채용ATHENA(공예모의)화ATLAS(기건모의)공구래방진험증우화설계적결과.
