现代电子技术
現代電子技術
현대전자기술
MODERN ELECTRONICS TECHNIQUE
2010年
8期
6-8
,共3页
方勇%吴龙胜%韩本光%陈超%唐威
方勇%吳龍勝%韓本光%陳超%唐威
방용%오룡성%한본광%진초%당위
SOI%参数提取%器件仿真%工艺参数
SOI%參數提取%器件倣真%工藝參數
SOI%삼수제취%기건방진%공예삼수
介绍器件参数提取的意义,并对基于工艺的参数提取和基于器件仿真的参数提取两种方法进行了比较.根据0.35 μm SOI CMOS工艺参数,构造出部分耗尽SOI NMOS结构.基于BSIM SOI模型采用局部优化,单器件提取的策略进行参数提取.最后通过将仿真与实际测试得到的参数比较,验证了该方法的准确性.
介紹器件參數提取的意義,併對基于工藝的參數提取和基于器件倣真的參數提取兩種方法進行瞭比較.根據0.35 μm SOI CMOS工藝參數,構造齣部分耗儘SOI NMOS結構.基于BSIM SOI模型採用跼部優化,單器件提取的策略進行參數提取.最後通過將倣真與實際測試得到的參數比較,驗證瞭該方法的準確性.
개소기건삼수제취적의의,병대기우공예적삼수제취화기우기건방진적삼수제취량충방법진행료비교.근거0.35 μm SOI CMOS공예삼수,구조출부분모진SOI NMOS결구.기우BSIM SOI모형채용국부우화,단기건제취적책략진행삼수제취.최후통과장방진여실제측시득도적삼수비교,험증료해방법적준학성.
