分析化学
分析化學
분석화학
CHINESE JOURNAL OF ANALYTICAL CHEMISTRY
2012年
1期
66-71
,共6页
刘洁%钱荣%斯琴毕力格%卓尚军%何品刚
劉潔%錢榮%斯琴畢力格%卓尚軍%何品剛
류길%전영%사금필력격%탁상군%하품강
直流辉光放电质谱%多晶硅%杂质元素%相对灵敏度因子
直流輝光放電質譜%多晶硅%雜質元素%相對靈敏度因子
직류휘광방전질보%다정규%잡질원소%상대령민도인자
采用直流辉光放电质谱(dc-GD-MS)测定多晶硅中关键杂质元素的相对灵敏度因子(RSF).标样制作过程中主要是在连续通入氩气条件下将固定量的非标准多晶硅样品熔化,向硅熔体中均匀掺入浓度范围为1～30 μg/g的关键杂质元素(如B和P),采用快速固化法制成标样；再将制成的标准样品加工成一系列适合GD-MS扁平池(Flat Cell)的片状样品(20 mm×20 mm×2mm).采用二次离子质谱法(SI-MS)对标准样品中关键掺杂元素进行多次定量测定,取平均值作为关键杂质元素的精确含量.优化一系列质谱条件后,运用GD-MS对标样中关键掺杂元素的离子强度进行多次测定,计算平均结果,得到未校正的表观浓度,利用标准曲线法计算出关键杂质元素的相对灵敏度因子.
採用直流輝光放電質譜(dc-GD-MS)測定多晶硅中關鍵雜質元素的相對靈敏度因子(RSF).標樣製作過程中主要是在連續通入氬氣條件下將固定量的非標準多晶硅樣品鎔化,嚮硅鎔體中均勻摻入濃度範圍為1～30 μg/g的關鍵雜質元素(如B和P),採用快速固化法製成標樣；再將製成的標準樣品加工成一繫列適閤GD-MS扁平池(Flat Cell)的片狀樣品(20 mm×20 mm×2mm).採用二次離子質譜法(SI-MS)對標準樣品中關鍵摻雜元素進行多次定量測定,取平均值作為關鍵雜質元素的精確含量.優化一繫列質譜條件後,運用GD-MS對標樣中關鍵摻雜元素的離子彊度進行多次測定,計算平均結果,得到未校正的錶觀濃度,利用標準麯線法計算齣關鍵雜質元素的相對靈敏度因子.
채용직류휘광방전질보(dc-GD-MS)측정다정규중관건잡질원소적상대령민도인자(RSF).표양제작과정중주요시재련속통입아기조건하장고정량적비표준다정규양품용화,향규용체중균균참입농도범위위1～30 μg/g적관건잡질원소(여B화P),채용쾌속고화법제성표양；재장제성적표준양품가공성일계렬괄합GD-MS편평지(Flat Cell)적편상양품(20 mm×20 mm×2mm).채용이차리자질보법(SI-MS)대표준양품중관건참잡원소진행다차정량측정,취평균치작위관건잡질원소적정학함량.우화일계렬질보조건후,운용GD-MS대표양중관건참잡원소적리자강도진행다차측정,계산평균결과,득도미교정적표관농도,이용표준곡선법계산출관건잡질원소적상대령민도인자.
