现代电子技术
現代電子技術
현대전자기술
MODERN ELECTRONICS TECHNIQUE
2007年
4期
17-18,22
,共3页
异质结晶体管%微波%宽带%低噪声放大器
異質結晶體管%微波%寬帶%低譟聲放大器
이질결정체관%미파%관대%저조성방대기
介绍了SiGe异质结晶体管的特点和微波宽带低噪声放大器的设计理论;设计了一个采用SiGe异质结晶体管2sc5761的两级微波宽带低噪声放大器电路,并对电路的各项指标进行了优化设计;运用candence软件对电路进行了DRC,LVS验证.在0.5～6 GHz得到12 dB以上的增益和不足2.5 dB的噪声系数,及优良的线性度.
介紹瞭SiGe異質結晶體管的特點和微波寬帶低譟聲放大器的設計理論;設計瞭一箇採用SiGe異質結晶體管2sc5761的兩級微波寬帶低譟聲放大器電路,併對電路的各項指標進行瞭優化設計;運用candence軟件對電路進行瞭DRC,LVS驗證.在0.5～6 GHz得到12 dB以上的增益和不足2.5 dB的譟聲繫數,及優良的線性度.
개소료SiGe이질결정체관적특점화미파관대저조성방대기적설계이론;설계료일개채용SiGe이질결정체관2sc5761적량급미파관대저조성방대기전로,병대전로적각항지표진행료우화설계;운용candence연건대전로진행료DRC,LVS험증.재0.5～6 GHz득도12 dB이상적증익화불족2.5 dB적조성계수,급우량적선성도.
