现代电子技术
現代電子技術
현대전자기술
MODERN ELECTRONICS TECHNIQUE
2009年
16期
167-168,170
,共3页
周少华%熊琦%杨红官%曾云
週少華%熊琦%楊紅官%曾雲
주소화%웅기%양홍관%증운
多值逻辑设计%存储矩阵%几何级减小%信息密度
多值邏輯設計%存儲矩陣%幾何級減小%信息密度
다치라집설계%존저구진%궤하급감소%신식밀도
为探索解决纳米技术发展的极限问题,讨论纳米技术发展的极限和二值逻辑设计的存储器结构,为应对纳米器件在到硅技术7 nm极限的突破,提出基于二端单电子晶体管的库仑台阶效应的多值逻辑设计的纳米存储器模型,分析9值逻辑逻辑设计的单位纳米存储器的逻辑信号与输出电压之间的关系,发现这样构建的存储矩阵大小几乎成几何级减小,提高了信息密度.
為探索解決納米技術髮展的極限問題,討論納米技術髮展的極限和二值邏輯設計的存儲器結構,為應對納米器件在到硅技術7 nm極限的突破,提齣基于二耑單電子晶體管的庫崙檯階效應的多值邏輯設計的納米存儲器模型,分析9值邏輯邏輯設計的單位納米存儲器的邏輯信號與輸齣電壓之間的關繫,髮現這樣構建的存儲矩陣大小幾乎成幾何級減小,提高瞭信息密度.
위탐색해결납미기술발전적겁한문제,토론납미기술발전적겁한화이치라집설계적존저기결구,위응대납미기건재도규기술7 nm겁한적돌파,제출기우이단단전자정체관적고륜태계효응적다치라집설계적납미존저기모형,분석9치라집라집설계적단위납미존저기적라집신호여수출전압지간적관계,발현저양구건적존저구진대소궤호성궤하급감소,제고료신식밀도.
