北京师范大学学报(自然科学版)
北京師範大學學報(自然科學版)
북경사범대학학보(자연과학판)
JOURNAL OF BEIJING NORMAL UNIVERSITY (NATURAL SCIENCE)
2003年
1期
63-66
,共4页
任永玲%于理科%李国辉%姬成周
任永玲%于理科%李國輝%姬成週
임영령%우이과%리국휘%희성주
垂直沟道的偶载场效应晶体管%系统级芯片%有效沟道长度
垂直溝道的偶載場效應晶體管%繫統級芯片%有效溝道長度
수직구도적우재장효응정체관%계통급심편%유효구도장도
研制了一种新模式的半导体场效应晶体管--垂直沟道的偶载场效应晶体管(VDCFET),这种结构可以避免现有光刻技术的制约,使用常规的半导体双极晶体管工艺,既可把有效沟道长度减短,大大提高器件的速度,又可将电源电压降低到小于1 V,大幅度降低功耗,改进其电学性能.本器件可应用于高频电路、D触发器、环振电路及反相器等重要电路.从纵向和横向报道了器件的设计思想,并给出了器件特性的测量结果.
研製瞭一種新模式的半導體場效應晶體管--垂直溝道的偶載場效應晶體管(VDCFET),這種結構可以避免現有光刻技術的製約,使用常規的半導體雙極晶體管工藝,既可把有效溝道長度減短,大大提高器件的速度,又可將電源電壓降低到小于1 V,大幅度降低功耗,改進其電學性能.本器件可應用于高頻電路、D觸髮器、環振電路及反相器等重要電路.從縱嚮和橫嚮報道瞭器件的設計思想,併給齣瞭器件特性的測量結果.
연제료일충신모식적반도체장효응정체관--수직구도적우재장효응정체관(VDCFET),저충결구가이피면현유광각기술적제약,사용상규적반도체쌍겁정체관공예,기가파유효구도장도감단,대대제고기건적속도,우가장전원전압강저도소우1 V,대폭도강저공모,개진기전학성능.본기건가응용우고빈전로、D촉발기、배진전로급반상기등중요전로.종종향화횡향보도료기건적설계사상,병급출료기건특성적측량결과.
