现代电子技术
現代電子技術
현대전자기술
MODERN ELECTRONICS TECHNIQUE
2010年
13期
45-47,50
,共4页
宽禁带半导体%功率放大器%附加效率%GaN
寬禁帶半導體%功率放大器%附加效率%GaN
관금대반도체%공솔방대기%부가효솔%GaN
氮化镓(GaN)作为第三代半导体材料的典型代表之一,由于其宽带隙、高击穿电场强度等特点,被认为是高频功率半导体器件的理想材料.为研究GaN功率放大器的特点,基于Agilent ADS仿真软件,利用负载/源牵引方法设计制作了一种S波段GaN宽禁带功率放大器(10 W).详细说明了设计步骤并对放大器进行了测试,数据表明放大器在2.3～2.4 GHz范围内可实现功率超过15 W,附加效率超过67%的输出.实验结果证实,GaN功率放大器具有高增益、高效率的特点.
氮化鎵(GaN)作為第三代半導體材料的典型代錶之一,由于其寬帶隙、高擊穿電場彊度等特點,被認為是高頻功率半導體器件的理想材料.為研究GaN功率放大器的特點,基于Agilent ADS倣真軟件,利用負載/源牽引方法設計製作瞭一種S波段GaN寬禁帶功率放大器(10 W).詳細說明瞭設計步驟併對放大器進行瞭測試,數據錶明放大器在2.3～2.4 GHz範圍內可實現功率超過15 W,附加效率超過67%的輸齣.實驗結果證實,GaN功率放大器具有高增益、高效率的特點.
담화가(GaN)작위제삼대반도체재료적전형대표지일,유우기관대극、고격천전장강도등특점,피인위시고빈공솔반도체기건적이상재료.위연구GaN공솔방대기적특점,기우Agilent ADS방진연건,이용부재/원견인방법설계제작료일충S파단GaN관금대공솔방대기(10 W).상세설명료설계보취병대방대기진행료측시,수거표명방대기재2.3～2.4 GHz범위내가실현공솔초과15 W,부가효솔초과67%적수출.실험결과증실,GaN공솔방대기구유고증익、고효솔적특점.
