现代电子技术
現代電子技術
현대전자기술
MODERN ELECTRONICS TECHNIQUE
2006年
4期
109-111
,共3页
寄生双极型晶体管%保护环%闩锁%CMOS集成电路
寄生雙極型晶體管%保護環%閂鎖%CMOS集成電路
기생쌍겁형정체관%보호배%산쇄%CMOS집성전로
闩锁是CMOS集成电路中的一种寄生效应,这种PNPN结构一旦被触发,从电源到地会产生大电流,导致整个芯片的失效.针对芯片在实际测试中发现的闩锁问题,介绍了闩锁的测试方法,并且利用软件Tsuprem4和Medici模拟整个失效过程,在对2类保护环(多子环/少子环)作用的分析,以及各种保护结构的模拟基础之上,通过对比触发电压和电流,得到一种最优的抗Latch-up版图设计方法,通过进一步的流片、测试,解决了芯片中的闩锁失效问题,验证了这种结构的有效性.
閂鎖是CMOS集成電路中的一種寄生效應,這種PNPN結構一旦被觸髮,從電源到地會產生大電流,導緻整箇芯片的失效.針對芯片在實際測試中髮現的閂鎖問題,介紹瞭閂鎖的測試方法,併且利用軟件Tsuprem4和Medici模擬整箇失效過程,在對2類保護環(多子環/少子環)作用的分析,以及各種保護結構的模擬基礎之上,通過對比觸髮電壓和電流,得到一種最優的抗Latch-up版圖設計方法,通過進一步的流片、測試,解決瞭芯片中的閂鎖失效問題,驗證瞭這種結構的有效性.
산쇄시CMOS집성전로중적일충기생효응,저충PNPN결구일단피촉발,종전원도지회산생대전류,도치정개심편적실효.침대심편재실제측시중발현적산쇄문제,개소료산쇄적측시방법,병차이용연건Tsuprem4화Medici모의정개실효과정,재대2류보호배(다자배/소자배)작용적분석,이급각충보호결구적모의기출지상,통과대비촉발전압화전류,득도일충최우적항Latch-up판도설계방법,통과진일보적류편、측시,해결료심편중적산쇄실효문제,험증료저충결구적유효성.
