现代电子技术
現代電子技術
현대전자기술
MODERN ELECTRONICS TECHNIQUE
2007年
22期
4-7,10
,共5页
全集成负阻VCO%脉冲敏感函数%相位噪声%LC滤波技术
全集成負阻VCO%脈遲敏感函數%相位譟聲%LC濾波技術
전집성부조VCO%맥충민감함수%상위조성%LC려파기술
为了满足高性能锁相环对高频压控振荡器低相位噪声的要求,提供了CMOS全集成负电导压控振荡器在2.2 GHz频率的设计.这种结构的优点和缺点要在设计中相互平衡.CMOS VCO的相位噪声应用据线性时变脉冲敏感函数(ISF)分析和计算并且与仿真结果进行比较.结果证明线性时变模型ISF能够很好的估算相位噪声,同时使用LC滤波技术改善相位噪声性能,在1/f3区域,相位噪声改善了9 dBc/Hz;在1/f2区域,改善了5 dBc/Hz.在最后给出使用0.35 μmCMOS工艺制作的2.2 GHz VCO的实验结果.
為瞭滿足高性能鎖相環對高頻壓控振盪器低相位譟聲的要求,提供瞭CMOS全集成負電導壓控振盪器在2.2 GHz頻率的設計.這種結構的優點和缺點要在設計中相互平衡.CMOS VCO的相位譟聲應用據線性時變脈遲敏感函數(ISF)分析和計算併且與倣真結果進行比較.結果證明線性時變模型ISF能夠很好的估算相位譟聲,同時使用LC濾波技術改善相位譟聲性能,在1/f3區域,相位譟聲改善瞭9 dBc/Hz;在1/f2區域,改善瞭5 dBc/Hz.在最後給齣使用0.35 μmCMOS工藝製作的2.2 GHz VCO的實驗結果.
위료만족고성능쇄상배대고빈압공진탕기저상위조성적요구,제공료CMOS전집성부전도압공진탕기재2.2 GHz빈솔적설계.저충결구적우점화결점요재설계중상호평형.CMOS VCO적상위조성응용거선성시변맥충민감함수(ISF)분석화계산병차여방진결과진행비교.결과증명선성시변모형ISF능구흔호적고산상위조성,동시사용LC려파기술개선상위조성성능,재1/f3구역,상위조성개선료9 dBc/Hz;재1/f2구역,개선료5 dBc/Hz.재최후급출사용0.35 μmCMOS공예제작적2.2 GHz VCO적실험결과.
