现代电子技术
現代電子技術
현대전자기술
MODERN ELECTRONICS TECHNIQUE
2008年
8期
1-3
,共3页
王翠霞%许维胜%余有灵%吴启迪%范学峰
王翠霞%許維勝%餘有靈%吳啟迪%範學峰
왕취하%허유성%여유령%오계적%범학봉
静电放电%失效模式%ESD保护电路%栅耦舍
靜電放電%失效模式%ESD保護電路%柵耦捨
정전방전%실효모식%ESD보호전로%책우사
分析ESD失效的原因和失效模式,针对亚微米CMOS工艺对器件ESD保护能力的降低,从工艺、器件、电路三个层次对提高ESD保护能力的设计思路进行论述.工艺层次上通过增加ESD注入层和硅化物阻挡层实现ESD能力的提高;器件方面可针对电路的特点,选择合适的器件(如MOS,SCR,二极管及电阻)达到电路需要的ESD保护能力;电路方面采用栅耦和实现功能较强的ESD保护.
分析ESD失效的原因和失效模式,針對亞微米CMOS工藝對器件ESD保護能力的降低,從工藝、器件、電路三箇層次對提高ESD保護能力的設計思路進行論述.工藝層次上通過增加ESD註入層和硅化物阻擋層實現ESD能力的提高;器件方麵可針對電路的特點,選擇閤適的器件(如MOS,SCR,二極管及電阻)達到電路需要的ESD保護能力;電路方麵採用柵耦和實現功能較彊的ESD保護.
분석ESD실효적원인화실효모식,침대아미미CMOS공예대기건ESD보호능력적강저,종공예、기건、전로삼개층차대제고ESD보호능력적설계사로진행논술.공예층차상통과증가ESD주입층화규화물조당층실현ESD능력적제고;기건방면가침대전로적특점,선택합괄적기건(여MOS,SCR,이겁관급전조)체도전로수요적ESD보호능력;전로방면채용책우화실현공능교강적ESD보호.
