现代电子技术
現代電子技術
현대전자기술
MODERN ELECTRONICS TECHNIQUE
2006年
23期
124-126
,共3页
体硅LDMOS%等温%非等温%负阻效应
體硅LDMOS%等溫%非等溫%負阻效應
체규LDMOS%등온%비등온%부조효응
从等温和非等温两个角度,在250 K～573 K(-23℃～300℃)范围内,对体硅高压LDMOS的主要电学参数随温度的变化进行了研究.系统地研究了体硅高压LDMOS阈值电压、导通电阻和饱和电流等主要电学参数的温度效应及其机理.
從等溫和非等溫兩箇角度,在250 K～573 K(-23℃～300℃)範圍內,對體硅高壓LDMOS的主要電學參數隨溫度的變化進行瞭研究.繫統地研究瞭體硅高壓LDMOS閾值電壓、導通電阻和飽和電流等主要電學參數的溫度效應及其機理.
종등온화비등온량개각도,재250 K～573 K(-23℃～300℃)범위내,대체규고압LDMOS적주요전학삼수수온도적변화진행료연구.계통지연구료체규고압LDMOS역치전압、도통전조화포화전류등주요전학삼수적온도효응급기궤리.
