现代电子技术
現代電子技術
현대전자기술
MODERN ELECTRONICS TECHNIQUE
2010年
6期
181-184
,共4页
金属氧化物晶体管%直流电压电流特性%二氧化硅层%过渡层
金屬氧化物晶體管%直流電壓電流特性%二氧化硅層%過渡層
금속양화물정체관%직류전압전류특성%이양화규층%과도층
为了研究MOS晶体管中过渡层对于电学特性的影响,通过采用电子-空穴复合的直流电压电流特性方法,改变MOST过渡层不同的参数,画出其界面电子-空穴复合的直流电流电压特性曲线,分析比较有无过渡层曲线的变化情况来讨论MOST的电学性质.通过分析得出过渡层对于晶体管的影响较小,在工业生产可以接受的误差范围之内,因此在工业生产中不必再刻意考虑过渡层对MOS晶体管造成不利影响.
為瞭研究MOS晶體管中過渡層對于電學特性的影響,通過採用電子-空穴複閤的直流電壓電流特性方法,改變MOST過渡層不同的參數,畫齣其界麵電子-空穴複閤的直流電流電壓特性麯線,分析比較有無過渡層麯線的變化情況來討論MOST的電學性質.通過分析得齣過渡層對于晶體管的影響較小,在工業生產可以接受的誤差範圍之內,因此在工業生產中不必再刻意攷慮過渡層對MOS晶體管造成不利影響.
위료연구MOS정체관중과도층대우전학특성적영향,통과채용전자-공혈복합적직류전압전류특성방법,개변MOST과도층불동적삼수,화출기계면전자-공혈복합적직류전류전압특성곡선,분석비교유무과도층곡선적변화정황래토론MOST적전학성질.통과분석득출과도층대우정체관적영향교소,재공업생산가이접수적오차범위지내,인차재공업생산중불필재각의고필과도층대MOS정체관조성불리영향.
