现代电子技术
現代電子技術
현대전자기술
MODERN ELECTRONICS TECHNIQUE
2008年
1期
156-158
,共3页
电压基准%亚阈值区%低压低功耗%MOS管
電壓基準%亞閾值區%低壓低功耗%MOS管
전압기준%아역치구%저압저공모%MOS관
提出了一种全MOS管结构的低压低功耗电压基准源,他利用一个工作在亚阈值区的MOS管具有负温度特性的栅-源电压与一对工作在亚阈值区的MOS管所产生的具有正温度特性的电压差进行补偿.电路采用标准的0.6 μmCMOS工艺设计,已成功应用于一个低压差线性稳压器(LDO)中,具有优良的温度稳定性,在-40～+120 ℃范围内能达到37.4 ppm/℃,并可以在供电电压为1.4～5.5 V下工作,其总电流仅为4 μA.
提齣瞭一種全MOS管結構的低壓低功耗電壓基準源,他利用一箇工作在亞閾值區的MOS管具有負溫度特性的柵-源電壓與一對工作在亞閾值區的MOS管所產生的具有正溫度特性的電壓差進行補償.電路採用標準的0.6 μmCMOS工藝設計,已成功應用于一箇低壓差線性穩壓器(LDO)中,具有優良的溫度穩定性,在-40～+120 ℃範圍內能達到37.4 ppm/℃,併可以在供電電壓為1.4～5.5 V下工作,其總電流僅為4 μA.
제출료일충전MOS관결구적저압저공모전압기준원,타이용일개공작재아역치구적MOS관구유부온도특성적책-원전압여일대공작재아역치구적MOS관소산생적구유정온도특성적전압차진행보상.전로채용표준적0.6 μmCMOS공예설계,이성공응용우일개저압차선성은압기(LDO)중,구유우량적온도은정성,재-40～+120 ℃범위내능체도37.4 ppm/℃,병가이재공전전압위1.4～5.5 V하공작,기총전류부위4 μA.
