北京师范大学学报(自然科学版)
北京師範大學學報(自然科學版)
북경사범대학학보(자연과학판)
JOURNAL OF BEIJING NORMAL UNIVERSITY (NATURAL SCIENCE)
2001年
5期
608-611
,共4页
王广甫%刘玉龙%田人和%张荟星
王廣甫%劉玉龍%田人和%張薈星
왕엄보%류옥룡%전인화%장회성
Ta-C薄膜%过滤阴极真空弧沉积%沉积能量%sp3键所占比例
Ta-C薄膜%過濾陰極真空弧沉積%沉積能量%sp3鍵所佔比例
Ta-C박막%과려음겁진공호침적%침적능량%sp3건소점비례
用磁过滤阴极真空弧沉积(FCVAD)方法在Si衬底上合成了Ta-C薄膜,Raman光谱和光电子能谱(XPS)分析表明衬底加80～100V负偏压时合成的Ta-C薄膜sp3键所占比例最高,可达80%以上,并且在Ta-C薄膜表面存在一sp3键所占比例较低的薄层.
用磁過濾陰極真空弧沉積(FCVAD)方法在Si襯底上閤成瞭Ta-C薄膜,Raman光譜和光電子能譜(XPS)分析錶明襯底加80～100V負偏壓時閤成的Ta-C薄膜sp3鍵所佔比例最高,可達80%以上,併且在Ta-C薄膜錶麵存在一sp3鍵所佔比例較低的薄層.
용자과려음겁진공호침적(FCVAD)방법재Si츤저상합성료Ta-C박막,Raman광보화광전자능보(XPS)분석표명츤저가80～100V부편압시합성적Ta-C박막sp3건소점비례최고,가체80%이상,병차재Ta-C박막표면존재일sp3건소점비례교저적박층.
