现代电子技术
現代電子技術
현대전자기술
MODERN ELECTRONICS TECHNIQUE
2010年
6期
16-18,28
,共4页
程军%邬小林%周民%杨维明
程軍%鄔小林%週民%楊維明
정군%오소림%주민%양유명
低压差%线性稳压电路%高电源抑制比%电荷泵电路
低壓差%線性穩壓電路%高電源抑製比%電荷泵電路
저압차%선성은압전로%고전원억제비%전하빙전로
采用CSMC 0.5μm 40 V工艺和Spectrum仿真平台,设计一款应用于电压保护芯片的LDO(Low Dropout)低压差线性稳压电路.该电路选择PMOS结构的调整管,不需要增加额外的电荷泵电路来驱动;采用带隙基准电压源结构,在1 kHz频率下,电源电压抑制比(PSRR)为-67.32 dB,在1 MHz频率下为-33.71 dB;在误差放大器设计中引入频率补偿,改善了稳压器的线性调整率性能.仿真结果表明,常温下当输入电压从1.6 V变化到6.6 V时,输出电压稳定在1.258 V左右,温度系数为31.38 ppm,在100 kΩ负载下显示出良好的稳压性能.
採用CSMC 0.5μm 40 V工藝和Spectrum倣真平檯,設計一款應用于電壓保護芯片的LDO(Low Dropout)低壓差線性穩壓電路.該電路選擇PMOS結構的調整管,不需要增加額外的電荷泵電路來驅動;採用帶隙基準電壓源結構,在1 kHz頻率下,電源電壓抑製比(PSRR)為-67.32 dB,在1 MHz頻率下為-33.71 dB;在誤差放大器設計中引入頻率補償,改善瞭穩壓器的線性調整率性能.倣真結果錶明,常溫下噹輸入電壓從1.6 V變化到6.6 V時,輸齣電壓穩定在1.258 V左右,溫度繫數為31.38 ppm,在100 kΩ負載下顯示齣良好的穩壓性能.
채용CSMC 0.5μm 40 V공예화Spectrum방진평태,설계일관응용우전압보호심편적LDO(Low Dropout)저압차선성은압전로.해전로선택PMOS결구적조정관,불수요증가액외적전하빙전로래구동;채용대극기준전압원결구,재1 kHz빈솔하,전원전압억제비(PSRR)위-67.32 dB,재1 MHz빈솔하위-33.71 dB;재오차방대기설계중인입빈솔보상,개선료은압기적선성조정솔성능.방진결과표명,상온하당수입전압종1.6 V변화도6.6 V시,수출전압은정재1.258 V좌우,온도계수위31.38 ppm,재100 kΩ부재하현시출량호적은압성능.
