现代电子技术
現代電子技術
현대전자기술
MODERN ELECTRONICS TECHNIQUE
2010年
7期
115-117
,共3页
宁江华%王基石%杨发顺%丁召
寧江華%王基石%楊髮順%丁召
저강화%왕기석%양발순%정소
CMOS基准电压源%低功耗%Sub-1 V%高电源抑制比
CMOS基準電壓源%低功耗%Sub-1 V%高電源抑製比
CMOS기준전압원%저공모%Sub-1 V%고전원억제비
基准源是模拟集成电路中的基本单元之一,它在高精度ADC,DAC,SoC等电路中起着重要作用,基准源的精度直接控制着这些电路的精度.阐述一个基于带隙基准结构的Sub-1 V、低功耗、低温度系数、高电源抑制比的CMOS基准电压源.并基于CSMC 0.5 μm Double Poly Mix Process对电路进行了仿真,得到理想的设计结果.
基準源是模擬集成電路中的基本單元之一,它在高精度ADC,DAC,SoC等電路中起著重要作用,基準源的精度直接控製著這些電路的精度.闡述一箇基于帶隙基準結構的Sub-1 V、低功耗、低溫度繫數、高電源抑製比的CMOS基準電壓源.併基于CSMC 0.5 μm Double Poly Mix Process對電路進行瞭倣真,得到理想的設計結果.
기준원시모의집성전로중적기본단원지일,타재고정도ADC,DAC,SoC등전로중기착중요작용,기준원적정도직접공제착저사전로적정도.천술일개기우대극기준결구적Sub-1 V、저공모、저온도계수、고전원억제비적CMOS기준전압원.병기우CSMC 0.5 μm Double Poly Mix Process대전로진행료방진,득도이상적설계결과.
