现代应用物理
現代應用物理
현대응용물리
Modern Applie Physics
2013年
2期
138-143
,共6页
何宝平%姚志斌%刘敏波%黄绍艳%王祖军%肖志刚%盛江坤
何寶平%姚誌斌%劉敏波%黃紹豔%王祖軍%肖誌剛%盛江坤
하보평%요지빈%류민파%황소염%왕조군%초지강%성강곤
半带电压漂移%低剂量率辐射损伤增强%MOS电容%总剂量
半帶電壓漂移%低劑量率輻射損傷增彊%MOS電容%總劑量
반대전압표이%저제량솔복사손상증강%MOS전용%총제량
采用多陷阱的理论方法,模拟了不同剂量率辐照下MOS电容的总剂量效应,分析了氧化层空间电荷场效应与辐照剂量率的关系.研究了氧化层中浅能级陷阱、深能级陷阱对界面俘获电荷和半带电压的影响.研究结果表明,相对于高剂量率辐照,低剂量率在Si/SiO2界面附近俘获更多的空穴,导致产生更大的半带电压漂移;空间电荷场效应是由高、低剂量率辐射损伤差异造成的;浅能级陷阱俘获的空穴主要支配着氧化层电荷的传输特征,被深能级陷阱俘获的空穴是永久性的,是引起器件半带电压漂移的主要原因.
採用多陷阱的理論方法,模擬瞭不同劑量率輻照下MOS電容的總劑量效應,分析瞭氧化層空間電荷場效應與輻照劑量率的關繫.研究瞭氧化層中淺能級陷阱、深能級陷阱對界麵俘穫電荷和半帶電壓的影響.研究結果錶明,相對于高劑量率輻照,低劑量率在Si/SiO2界麵附近俘穫更多的空穴,導緻產生更大的半帶電壓漂移;空間電荷場效應是由高、低劑量率輻射損傷差異造成的;淺能級陷阱俘穫的空穴主要支配著氧化層電荷的傳輸特徵,被深能級陷阱俘穫的空穴是永久性的,是引起器件半帶電壓漂移的主要原因.
채용다함정적이론방법,모의료불동제량솔복조하MOS전용적총제량효응,분석료양화층공간전하장효응여복조제량솔적관계.연구료양화층중천능급함정、심능급함정대계면부획전하화반대전압적영향.연구결과표명,상대우고제량솔복조,저제량솔재Si/SiO2계면부근부획경다적공혈,도치산생경대적반대전압표이;공간전하장효응시유고、저제량솔복사손상차이조성적;천능급함정부획적공혈주요지배착양화층전하적전수특정,피심능급함정부획적공혈시영구성적,시인기기건반대전압표이적주요원인.
