北京师范大学学报（自然科学版）
北京師範大學學報（自然科學版）
북경사범대학학보（자연과학판）
JOURNAL OF BEIJING NORMAL UNIVERSITY
2014年
1期
20-23
,共4页
极化子%GaAs薄膜%分数维
極化子%GaAs薄膜%分數維
겁화자%GaAs박막%분수유
polaron%the GaAs film%fractional-dimension
用分数维方法研究Alx Ga1-x As衬底上GaAs薄膜中的极化子,得到了衬底中Al摩尔分数x对GaAs薄膜中极化子的结合能和有效质量的影响,极化子的结合能和有效质量的相对变化(mass shift)都随着 Al 摩尔分数的增大而单调增大；Alx Ga1-x As衬底中 Al摩尔分数对不同厚度的 GaAs薄膜中极化子的影响程度不同,GaAs薄膜的厚度越小,衬底中 Al摩尔分数对 GaAs薄膜中极化子的影响越显著。
用分數維方法研究Alx Ga1-x As襯底上GaAs薄膜中的極化子,得到瞭襯底中Al摩爾分數x對GaAs薄膜中極化子的結閤能和有效質量的影響,極化子的結閤能和有效質量的相對變化(mass shift)都隨著 Al 摩爾分數的增大而單調增大；Alx Ga1-x As襯底中 Al摩爾分數對不同厚度的 GaAs薄膜中極化子的影響程度不同,GaAs薄膜的厚度越小,襯底中 Al摩爾分數對 GaAs薄膜中極化子的影響越顯著。
용분수유방법연구Alx Ga1-x As츤저상GaAs박막중적겁화자,득도료츤저중Al마이분수x대GaAs박막중겁화자적결합능화유효질량적영향,겁화자적결합능화유효질량적상대변화(mass shift)도수착 Al 마이분수적증대이단조증대；Alx Ga1-x As츤저중 Al마이분수대불동후도적 GaAs박막중겁화자적영향정도불동,GaAs박막적후도월소,츤저중 Al마이분수대 GaAs박막중겁화자적영향월현저。
Polaron in GaAs film deposited on AlxGa1-x As substrate were investigated within the framework of fractional-dimensional approach.Polaron binding energy and effective mass were influenced by aluminum concentration in AlxGa1-x As substrate, polaron binding energy and mass shift monotonically increased with increasing aluminum concentration.Effects of aluminum concentration in AlxGa1-xAs substrate on polaron in different thickness of GaAs film were different,the smaller the thickness of GaAs film was,the more significant influence of aluminum concentration on polaron in GaAs film was.
