分析化学
分析化學
분석화학
CHINESE JOURNAL OF ANALYTICAL CHEMISTRY
2013年
6期
805-810
,共6页
鲁理平%许来慧%康天放%程水源
魯理平%許來慧%康天放%程水源
로리평%허래혜%강천방%정수원
硫化镉量子点%电化学发光%DNA损伤%全氟辛烷磺酸
硫化鎘量子點%電化學髮光%DNA損傷%全氟辛烷磺痠
류화력양자점%전화학발광%DNA손상%전불신완광산
Cadmium sulfide quantum dots%Electrochemiluminescence%Deoxyribonucleic acid damage%Perfluorooctane sulfonate
研制了用于研究DNA损伤的电化学发光传感器.在0.1 mol/L CdCl2和0.02 mol/L NaS2O3(0.1 mol/LHCl调节至pH 2 ～3,50℃)溶液中,采用循环伏安法(CV)在玻碳电极表面原位沉积硫化镉纳米晶,构建了硫化镉纳米晶修饰的电极界面(CdS QDs/GCE)；以半胱氨酸为连接剂,利用羧氨键(-CONH-)将氨基修饰的短链DNA组装到CdS表面(DNA/CdS QDs/GCE).以H2O2为共反应剂,利用电化学发光方法研究了全氟辛烷磺酸对DNA的损伤.结果表明,全氟辛烷磺酸温浴后的双链DNA修饰硫化镉的电化学发光信号强度介于单链和双链DNA之间,且随着全氟辛烷磺酸浓度的增加,电化学发光信号值变大,同时电化学阻抗曲线显示全氟辛烷磺酸致电极界面的电子传递性能降低.可以推测,PFOS可能导致DNA链的扭曲或断裂.
研製瞭用于研究DNA損傷的電化學髮光傳感器.在0.1 mol/L CdCl2和0.02 mol/L NaS2O3(0.1 mol/LHCl調節至pH 2 ～3,50℃)溶液中,採用循環伏安法(CV)在玻碳電極錶麵原位沉積硫化鎘納米晶,構建瞭硫化鎘納米晶脩飾的電極界麵(CdS QDs/GCE)；以半胱氨痠為連接劑,利用羧氨鍵(-CONH-)將氨基脩飾的短鏈DNA組裝到CdS錶麵(DNA/CdS QDs/GCE).以H2O2為共反應劑,利用電化學髮光方法研究瞭全氟辛烷磺痠對DNA的損傷.結果錶明,全氟辛烷磺痠溫浴後的雙鏈DNA脩飾硫化鎘的電化學髮光信號彊度介于單鏈和雙鏈DNA之間,且隨著全氟辛烷磺痠濃度的增加,電化學髮光信號值變大,同時電化學阻抗麯線顯示全氟辛烷磺痠緻電極界麵的電子傳遞性能降低.可以推測,PFOS可能導緻DNA鏈的扭麯或斷裂.
연제료용우연구DNA손상적전화학발광전감기.재0.1 mol/L CdCl2화0.02 mol/L NaS2O3(0.1 mol/LHCl조절지pH 2 ～3,50℃)용액중,채용순배복안법(CV)재파탄전겁표면원위침적류화력납미정,구건료류화력납미정수식적전겁계면(CdS QDs/GCE)；이반광안산위련접제,이용최안건(-CONH-)장안기수식적단련DNA조장도CdS표면(DNA/CdS QDs/GCE).이H2O2위공반응제,이용전화학발광방법연구료전불신완광산대DNA적손상.결과표명,전불신완광산온욕후적쌍련DNA수식류화력적전화학발광신호강도개우단련화쌍련DNA지간,차수착전불신완광산농도적증가,전화학발광신호치변대,동시전화학조항곡선현시전불신완광산치전겁계면적전자전체성능강저.가이추측,PFOS가능도치DNA련적뉴곡혹단렬.
