价值工程
價值工程
개치공정
VALUE ENGINEERING
2012年
35期
163-165
,共3页
InGaN/GaN%异质结%势阱%自洽
InGaN/GaN%異質結%勢阱%自洽
InGaN/GaN%이질결%세정%자흡
本论文首先阐述了InGaN/GaN异质结的形成及XRD实验表征,然后基于三角形势阱模型,通过自洽求解薛定谔方程和泊松方程,对InGaN/GaN异质结势阱进行了自洽模拟计算,讨论了不同In组分对InGaN/GaN异质结势阱以及异质结界面附近电子浓度分布的影响.结果说明,通过求解薛定谔方程和泊松方程可以模拟InGaN/GaN异质结的势阱结构.
本論文首先闡述瞭InGaN/GaN異質結的形成及XRD實驗錶徵,然後基于三角形勢阱模型,通過自洽求解薛定諤方程和泊鬆方程,對InGaN/GaN異質結勢阱進行瞭自洽模擬計算,討論瞭不同In組分對InGaN/GaN異質結勢阱以及異質結界麵附近電子濃度分佈的影響.結果說明,通過求解薛定諤方程和泊鬆方程可以模擬InGaN/GaN異質結的勢阱結構.
본논문수선천술료InGaN/GaN이질결적형성급XRD실험표정,연후기우삼각형세정모형,통과자흡구해설정악방정화박송방정,대InGaN/GaN이질결세정진행료자흡모의계산,토론료불동In조분대InGaN/GaN이질결세정이급이질결계면부근전자농도분포적영향.결과설명,통과구해설정악방정화박송방정가이모의InGaN/GaN이질결적세정결구.
