现代电子技术
現代電子技術
현대전자기술
MODERN ELECTRONICS TECHNIQUE
2013年
1期
144-146
,共3页
ta-C薄膜%二次电子倍增放电%抑制二次电子发射%过滤阴极真空电弧
ta-C薄膜%二次電子倍增放電%抑製二次電子髮射%過濾陰極真空電弧
ta-C박막%이차전자배증방전%억제이차전자발사%과려음겁진공전호
二次电子倍增引起的微放电效应已经成为制约空间通信技术发展的重要因素.提出采用纳米级四面体非晶碳(ta-C)薄膜抑制二次电子发射的新方法,研究了在镀银铝基材料上制备ta-C薄膜的工艺,以及薄膜中sp2键的含量以及薄膜的厚度对二次电子发射系数的影响.研究结果表明,涂层后的二次电子发射系数减小了35％；且当薄膜厚度超过5 nm,二次电子发射系数显著降低,当厚度大于10 nm,二次电子发射系数会增加,分析主要原因是薄膜厚度在5～10 nm时,sp2键的含量较大,呈现出石墨的弱二次电子发射特性,研究结果表明,ta-C薄膜可以较好地起到抑制二次电子作用.
二次電子倍增引起的微放電效應已經成為製約空間通信技術髮展的重要因素.提齣採用納米級四麵體非晶碳(ta-C)薄膜抑製二次電子髮射的新方法,研究瞭在鍍銀鋁基材料上製備ta-C薄膜的工藝,以及薄膜中sp2鍵的含量以及薄膜的厚度對二次電子髮射繫數的影響.研究結果錶明,塗層後的二次電子髮射繫數減小瞭35％；且噹薄膜厚度超過5 nm,二次電子髮射繫數顯著降低,噹厚度大于10 nm,二次電子髮射繫數會增加,分析主要原因是薄膜厚度在5～10 nm時,sp2鍵的含量較大,呈現齣石墨的弱二次電子髮射特性,研究結果錶明,ta-C薄膜可以較好地起到抑製二次電子作用.
이차전자배증인기적미방전효응이경성위제약공간통신기술발전적중요인소.제출채용납미급사면체비정탄(ta-C)박막억제이차전자발사적신방법,연구료재도은려기재료상제비ta-C박막적공예,이급박막중sp2건적함량이급박막적후도대이차전자발사계수적영향.연구결과표명,도층후적이차전자발사계수감소료35％；차당박막후도초과5 nm,이차전자발사계수현저강저,당후도대우10 nm,이차전자발사계수회증가,분석주요원인시박막후도재5～10 nm시,sp2건적함량교대,정현출석묵적약이차전자발사특성,연구결과표명,ta-C박막가이교호지기도억제이차전자작용.
