现代电子技术
現代電子技術
현대전자기술
MODERN ELECTRONICS TECHNIQUE
2012年
24期
141-144
,共4页
GaN%分布式放大器%功率放大器%宽带放大器
GaN%分佈式放大器%功率放大器%寬帶放大器
GaN%분포식방대기%공솔방대기%관대방대기
作为一种宽带放大器的结构,分布式放大器结构能够实现高达多个倍频程的带宽,这种结构是由电感元件和晶体管的等效电容构成的栅极和漏极两条人工传输线组成的.随着第三代宽禁带半导体GaN的发展,将GaN技术应用在分布式放大器的设计中,能够得到较高的输出功率,实现宽带功率放大器的设计.介绍了一种采用4个GaN HEMT(高电子迁移率晶体管)设计分布式功率放大器的原理和方法,实现了0.02～2 GHz的带宽.仿真结果表明,带宽内小信号增益大于10 dB,增益平坦度优于±0.5 dB,饱和输出功率大于41 dBm,PAE大于15％.
作為一種寬帶放大器的結構,分佈式放大器結構能夠實現高達多箇倍頻程的帶寬,這種結構是由電感元件和晶體管的等效電容構成的柵極和漏極兩條人工傳輸線組成的.隨著第三代寬禁帶半導體GaN的髮展,將GaN技術應用在分佈式放大器的設計中,能夠得到較高的輸齣功率,實現寬帶功率放大器的設計.介紹瞭一種採用4箇GaN HEMT(高電子遷移率晶體管)設計分佈式功率放大器的原理和方法,實現瞭0.02～2 GHz的帶寬.倣真結果錶明,帶寬內小信號增益大于10 dB,增益平坦度優于±0.5 dB,飽和輸齣功率大于41 dBm,PAE大于15％.
작위일충관대방대기적결구,분포식방대기결구능구실현고체다개배빈정적대관,저충결구시유전감원건화정체관적등효전용구성적책겁화루겁량조인공전수선조성적.수착제삼대관금대반도체GaN적발전,장GaN기술응용재분포식방대기적설계중,능구득도교고적수출공솔,실현관대공솔방대기적설계.개소료일충채용4개GaN HEMT(고전자천이솔정체관)설계분포식공솔방대기적원리화방법,실현료0.02～2 GHz적대관.방진결과표명,대관내소신호증익대우10 dB,증익평탄도우우±0.5 dB,포화수출공솔대우41 dBm,PAE대우15％.
