科技信息
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과기신식
SCIENTIFIC & TECHNICAL INFORMATION
2013年
22期
435-437
,共3页
王文林%闫锋%李杨%陈涛
王文林%閆鋒%李楊%陳濤
왕문림%염봉%리양%진도
化学气相沉积%硅外延层%电阻率均匀性%厚度均匀性
化學氣相沉積%硅外延層%電阻率均勻性%厚度均勻性
화학기상침적%규외연층%전조솔균균성%후도균균성
本文采用化学气相沉积(CVD)法在单晶硅衬底上沉积硅外延层,同时研究了沉积工艺对外延层电阻率和厚度的影响规律.研究发现采用H2气变流量吹扫后可以有效抑制非主动掺杂,提高外延层电阻率的均匀性；衬底表面气流边界层厚度会对外延层的沉积速率有显著的影响.通过对沉积工艺的控制可以得到电阻率和厚度均匀性良好的硅外延层.
本文採用化學氣相沉積(CVD)法在單晶硅襯底上沉積硅外延層,同時研究瞭沉積工藝對外延層電阻率和厚度的影響規律.研究髮現採用H2氣變流量吹掃後可以有效抑製非主動摻雜,提高外延層電阻率的均勻性；襯底錶麵氣流邊界層厚度會對外延層的沉積速率有顯著的影響.通過對沉積工藝的控製可以得到電阻率和厚度均勻性良好的硅外延層.
본문채용화학기상침적(CVD)법재단정규츤저상침적규외연층,동시연구료침적공예대외연층전조솔화후도적영향규률.연구발현채용H2기변류량취소후가이유효억제비주동참잡,제고외연층전조솔적균균성；츤저표면기류변계층후도회대외연층적침적속솔유현저적영향.통과대침적공예적공제가이득도전조솔화후도균균성량호적규외연층.
