现代电子技术
現代電子技術
현대전자기술
MODERN ELECTRONICS TECHNIQUE
2008年
3期
176-178
,共3页
CMOS%共源共栅%低噪声放大器%噪声匹配%输入阻抗匹配
CMOS%共源共柵%低譟聲放大器%譟聲匹配%輸入阻抗匹配
CMOS%공원공책%저조성방대기%조성필배%수입조항필배
运用仿真工具ADS,通过对CMOS共源共栅低噪声放大器的共源级栅宽,源级电感以及栅极电感值的扫描仿真,以Smith阻抗圆图的形式给出了一个直观的LNA设计优化流程,近似实现了最佳噪声源阻抗和输入阻抗的同时匹配.按照该方法设计的基于0.18 μm CMOS工艺,工作在1.58 GHz的低噪声放大器,其噪声系数为1.3 dB,S11为-28.4 dB,功耗为3.42 mW,从而很好地证实了该方法的可行性.
運用倣真工具ADS,通過對CMOS共源共柵低譟聲放大器的共源級柵寬,源級電感以及柵極電感值的掃描倣真,以Smith阻抗圓圖的形式給齣瞭一箇直觀的LNA設計優化流程,近似實現瞭最佳譟聲源阻抗和輸入阻抗的同時匹配.按照該方法設計的基于0.18 μm CMOS工藝,工作在1.58 GHz的低譟聲放大器,其譟聲繫數為1.3 dB,S11為-28.4 dB,功耗為3.42 mW,從而很好地證實瞭該方法的可行性.
운용방진공구ADS,통과대CMOS공원공책저조성방대기적공원급책관,원급전감이급책겁전감치적소묘방진,이Smith조항원도적형식급출료일개직관적LNA설계우화류정,근사실현료최가조성원조항화수입조항적동시필배.안조해방법설계적기우0.18 μm CMOS공예,공작재1.58 GHz적저조성방대기,기조성계수위1.3 dB,S11위-28.4 dB,공모위3.42 mW,종이흔호지증실료해방법적가행성.
