现代电子技术
現代電子技術
현대전자기술
MODERN ELECTRONICS TECHNIQUE
2013年
4期
127-129
,共3页
Ka波段%PHEMT%MMIC%功率放大器
Ka波段%PHEMT%MMIC%功率放大器
Ka파단%PHEMT%MMIC%공솔방대기
基于GaAs衬底PHEMT工艺的新一代微波器件,具有截止频率高,增益大以及效率高的特点,该工艺更适合于微波频率的应用.采用WIN半导体公司的0.15 μm PHEMT工艺设计了工作在29～31 GHz Ka波段单片集成功率放大器,电路采用RC并联网络实现稳定性能,三级放大结构满足功率增益在30 GHz处为27 dB,输出1 dB压缩点功率为30 dBm,输入驻波比小于1.5,功率附加效率为35％.电路采用6V电源供电,芯片面积为2.30 mm×1.23 mm.最后设计通过仿真,得出在30 GHz的时候,Pldb输出功率达到30.4 dBm,PAE为35％,输入驻波比为1.26,功率增益为27 dB左右.在整个频段里面稳定系数远大于1,整个电路利用RC并联稳定网络实现了无条件稳定,达到了设计的要求.
基于GaAs襯底PHEMT工藝的新一代微波器件,具有截止頻率高,增益大以及效率高的特點,該工藝更適閤于微波頻率的應用.採用WIN半導體公司的0.15 μm PHEMT工藝設計瞭工作在29～31 GHz Ka波段單片集成功率放大器,電路採用RC併聯網絡實現穩定性能,三級放大結構滿足功率增益在30 GHz處為27 dB,輸齣1 dB壓縮點功率為30 dBm,輸入駐波比小于1.5,功率附加效率為35％.電路採用6V電源供電,芯片麵積為2.30 mm×1.23 mm.最後設計通過倣真,得齣在30 GHz的時候,Pldb輸齣功率達到30.4 dBm,PAE為35％,輸入駐波比為1.26,功率增益為27 dB左右.在整箇頻段裏麵穩定繫數遠大于1,整箇電路利用RC併聯穩定網絡實現瞭無條件穩定,達到瞭設計的要求.
기우GaAs츤저PHEMT공예적신일대미파기건,구유절지빈솔고,증익대이급효솔고적특점,해공예경괄합우미파빈솔적응용.채용WIN반도체공사적0.15 μm PHEMT공예설계료공작재29～31 GHz Ka파단단편집성공솔방대기,전로채용RC병련망락실현은정성능,삼급방대결구만족공솔증익재30 GHz처위27 dB,수출1 dB압축점공솔위30 dBm,수입주파비소우1.5,공솔부가효솔위35％.전로채용6V전원공전,심편면적위2.30 mm×1.23 mm.최후설계통과방진,득출재30 GHz적시후,Pldb수출공솔체도30.4 dBm,PAE위35％,수입주파비위1.26,공솔증익위27 dB좌우.재정개빈단리면은정계수원대우1,정개전로이용RC병련은정망락실현료무조건은정,체도료설계적요구.
