分析化学
分析化學
분석화학
CHINESE JOURNAL OF ANALYTICAL CHEMISTRY
2015年
5期
709-713
,共5页
杨萌%李铭%薛蛟%赵欣%黄秀%冯璐%邢志
楊萌%李銘%薛蛟%趙訢%黃秀%馮璐%邢誌
양맹%리명%설교%조흔%황수%풍로%형지
低温等离子体%介质阻挡放电%剥蚀%深度分析%电路板%电感耦合等离子体质谱
低溫等離子體%介質阻擋放電%剝蝕%深度分析%電路闆%電感耦閤等離子體質譜
저온등리자체%개질조당방전%박식%심도분석%전로판%전감우합등리자체질보
Low temperature plasma%Dielectric barrier discharge%Ablation%Depth profiling%Circuit%Inductively coupled plasma-mass spectroscopy
建立了基于低温等离子体(Low temperature plasma)剥蚀系统将固体样品直接引入电感耦合等离子体质谱(ICP-MS)并用于电路板镀层中Au,Ni和Cu的深度分析.此实验中采用介质阻挡放电(DBD)方式产生低温等离子体探针,逐层剥蚀样品表面,由ICPMS检测元素信号.对DBD所用放电气体种类、外加电场功率、放电气体流速和采样深度等实验条件进行优化.在优化条件下,应用LTP-ICPMS在30 s内完成电路板镀层(20 μm Au/10 μm Ni/Cu基底)的逐层剥蚀和深度分析,元素种类和分层顺序与X射线光电子能谱(XpS)相吻合,镀层的分辨率可拓展至微米水平,表明此技术可直接用于固体样品的深度分析.
建立瞭基于低溫等離子體(Low temperature plasma)剝蝕繫統將固體樣品直接引入電感耦閤等離子體質譜(ICP-MS)併用于電路闆鍍層中Au,Ni和Cu的深度分析.此實驗中採用介質阻擋放電(DBD)方式產生低溫等離子體探針,逐層剝蝕樣品錶麵,由ICPMS檢測元素信號.對DBD所用放電氣體種類、外加電場功率、放電氣體流速和採樣深度等實驗條件進行優化.在優化條件下,應用LTP-ICPMS在30 s內完成電路闆鍍層(20 μm Au/10 μm Ni/Cu基底)的逐層剝蝕和深度分析,元素種類和分層順序與X射線光電子能譜(XpS)相吻閤,鍍層的分辨率可拓展至微米水平,錶明此技術可直接用于固體樣品的深度分析.
건립료기우저온등리자체(Low temperature plasma)박식계통장고체양품직접인입전감우합등리자체질보(ICP-MS)병용우전로판도층중Au,Ni화Cu적심도분석.차실험중채용개질조당방전(DBD)방식산생저온등리자체탐침,축층박식양품표면,유ICPMS검측원소신호.대DBD소용방전기체충류、외가전장공솔、방전기체류속화채양심도등실험조건진행우화.재우화조건하,응용LTP-ICPMS재30 s내완성전로판도층(20 μm Au/10 μm Ni/Cu기저)적축층박식화심도분석,원소충류화분층순서여X사선광전자능보(XpS)상문합,도층적분변솔가탁전지미미수평,표명차기술가직접용우고체양품적심도분석.
