(Si, Er)双注入单晶硅近红外光发射
(Si, Er)쌍주입단정규근홍외광발사
NEAR-INFRARED LIGHT EMISSION FROM SINGLE CRYSTAL SILICON DUALLY IMPLANTED WITH ERBIUM AND SILICON
  • 万方数据
    北京师范大学学报(自然科学版) 북경사범대학학보(자연과학판)
    JOURNAL OF BEIJING NORMAL UNIVERSITY (NATURAL SCIENCE)
    2001年 4期 476-481 ,共6页

    徐飞%肖志松%张通和%程国安%易仲珍%曾宇昕%顾岚岚

    서비%초지송%장통화%정국안%역중진%증우흔%고람람

    离子注入%双注入%铒掺杂%光发射 離子註入%雙註入%鉺摻雜%光髮射
    리자주입%쌍주입%이참잡%광발사
    利用金属蒸气真空弧离子源,将硅和铒离子先后注入到单晶硅中,经快速退火制备出(Si,Er)双注入单晶硅发光薄膜.RBS分析表明铒原子分数接近10%,即原子浓度约1021 cm-3.XRD分析发现,随着Er注量增加,退火态样品中ErSi2相增多.显微结构分析表明,注量条件影响辐照损伤程度、物相变化和表面显微形貌.而这些结构变化将直接决定了(Si,Er)双注入单晶硅发光薄膜近红外区光致发光.
    이용금속증기진공호리자원,장규화이리자선후주입도단정규중,경쾌속퇴화제비출(Si,Er)쌍주입단정규발광박막.RBS분석표명이원자분수접근10%,즉원자농도약1021 cm-3.XRD분석발현,수착Er주량증가,퇴화태양품중ErSi2상증다.현미결구분석표명,주량조건영향복조손상정도、물상변화화표면현미형모.이저사결구변화장직접결정료(Si,Er)쌍주입단정규발광박막근홍외구광치발광.
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