现代应用物理
現代應用物理
현대응용물리
Modern Applie Physics
2015年
3期
155-162
,共8页
李华锋%盛伟%韩斌%卓俊%陶应龙
李華鋒%盛偉%韓斌%卓俊%陶應龍
리화봉%성위%한빈%탁준%도응룡
厚靶轫致辐射%蒙特卡罗%粒子输运%正电子湮没峰
厚靶軔緻輻射%矇特卡囉%粒子輸運%正電子湮沒峰
후파인치복사%몽특잡라%입자수운%정전자인몰봉
为提升自行开发的粒子输运蒙特卡罗模拟软件PHEN对电子输运模拟的处理能力,根据厚靶轫致辐射(thick-target bremsstrahlung,TTB)模型,在PHEN中加入了自编的TTB模块,分析了加入TTB模块后PHEN的模拟计算速度、TTB模块生成的轫致辐射光子能量及TTB模块模拟电子输运的适用范围.通过与MCNP中轫致辐射截面及电子射程的对比,验证了TTB模块模拟电子输运的正确性.计算了加入TTB模块前后正电子湮没峰计数的变化,用于判断使用TTB模块模拟的合理性.计算结果表明:当材料尺寸小于电子在材料中的射程时,TTB模型不考虑电子输运的计算结果是不合理的,应采用压缩历史算法处理电子输运;当材料尺寸大于电子在材料中的射程时,TTB模型计算速度快,计算结果与压缩历史算法的计算结果吻合较好,可用厚靶轫致辐射处理电子输运.
為提升自行開髮的粒子輸運矇特卡囉模擬軟件PHEN對電子輸運模擬的處理能力,根據厚靶軔緻輻射(thick-target bremsstrahlung,TTB)模型,在PHEN中加入瞭自編的TTB模塊,分析瞭加入TTB模塊後PHEN的模擬計算速度、TTB模塊生成的軔緻輻射光子能量及TTB模塊模擬電子輸運的適用範圍.通過與MCNP中軔緻輻射截麵及電子射程的對比,驗證瞭TTB模塊模擬電子輸運的正確性.計算瞭加入TTB模塊前後正電子湮沒峰計數的變化,用于判斷使用TTB模塊模擬的閤理性.計算結果錶明:噹材料呎吋小于電子在材料中的射程時,TTB模型不攷慮電子輸運的計算結果是不閤理的,應採用壓縮歷史算法處理電子輸運;噹材料呎吋大于電子在材料中的射程時,TTB模型計算速度快,計算結果與壓縮歷史算法的計算結果吻閤較好,可用厚靶軔緻輻射處理電子輸運.
위제승자행개발적입자수운몽특잡라모의연건PHEN대전자수운모의적처리능력,근거후파인치복사(thick-target bremsstrahlung,TTB)모형,재PHEN중가입료자편적TTB모괴,분석료가입TTB모괴후PHEN적모의계산속도、TTB모괴생성적인치복사광자능량급TTB모괴모의전자수운적괄용범위.통과여MCNP중인치복사절면급전자사정적대비,험증료TTB모괴모의전자수운적정학성.계산료가입TTB모괴전후정전자인몰봉계수적변화,용우판단사용TTB모괴모의적합이성.계산결과표명:당재료척촌소우전자재재료중적사정시,TTB모형불고필전자수운적계산결과시불합리적,응채용압축역사산법처리전자수운;당재료척촌대우전자재재료중적사정시,TTB모형계산속도쾌,계산결과여압축역사산법적계산결과문합교호,가용후파인치복사처리전자수운.
