现代电子技术
現代電子技術
현대전자기술
MODERN ELECTRONICS TECHNIQUE
2004年
4期
24-27
,共4页
模拟集成电路%跨导线性原理%专用集成电路%放大器
模擬集成電路%跨導線性原理%專用集成電路%放大器
모의집성전로%과도선성원리%전용집성전로%방대기
介绍了一种采用BiCMOS工艺技术制造的具有较大的驱动能力、转换速率和较低的功耗的AB类输出级.他是利用跨导线性原理实现自适应偏置的AB类输出级 .通过对这种结构的工作原理,结构特点的分析,仿真得出电阻负载为2 kΩ,电容负载为100 pF时的最大上升、下降转换速率分别为40 V/μs和30 V/μs;在±15 V的电源下,静态功耗小于10 mW.
介紹瞭一種採用BiCMOS工藝技術製造的具有較大的驅動能力、轉換速率和較低的功耗的AB類輸齣級.他是利用跨導線性原理實現自適應偏置的AB類輸齣級 .通過對這種結構的工作原理,結構特點的分析,倣真得齣電阻負載為2 kΩ,電容負載為100 pF時的最大上升、下降轉換速率分彆為40 V/μs和30 V/μs;在±15 V的電源下,靜態功耗小于10 mW.
개소료일충채용BiCMOS공예기술제조적구유교대적구동능력、전환속솔화교저적공모적AB류수출급.타시이용과도선성원리실현자괄응편치적AB류수출급 .통과대저충결구적공작원리,결구특점적분석,방진득출전조부재위2 kΩ,전용부재위100 pF시적최대상승、하강전환속솔분별위40 V/μs화30 V/μs;재±15 V적전원하,정태공모소우10 mW.
