现代电子技术
現代電子技術
현대전자기술
MODERN ELECTRONICS TECHNIQUE
2007年
16期
174-176
,共3页
VDMOS%穿通型VDMOS%优化外延层%导通电阻
VDMOS%穿通型VDMOS%優化外延層%導通電阻
VDMOS%천통형VDMOS%우화외연층%도통전조
以500 V VDMOS为例,首先分析了高压VDMOS导通电阻与电压的关系,重点讨论穿通型VDMOS的外延厚度与器件的耐压和导通电阻的关系.给出对高压VDMOS外延层厚度的优化方案,并基于理论分析在器件仿真设计软件平台上成功完成了耐压500 V、导通电阻0.85 Ω的功率VDMOS器件的设计和仿真.
以500 V VDMOS為例,首先分析瞭高壓VDMOS導通電阻與電壓的關繫,重點討論穿通型VDMOS的外延厚度與器件的耐壓和導通電阻的關繫.給齣對高壓VDMOS外延層厚度的優化方案,併基于理論分析在器件倣真設計軟件平檯上成功完成瞭耐壓500 V、導通電阻0.85 Ω的功率VDMOS器件的設計和倣真.
이500 V VDMOS위례,수선분석료고압VDMOS도통전조여전압적관계,중점토론천통형VDMOS적외연후도여기건적내압화도통전조적관계.급출대고압VDMOS외연층후도적우화방안,병기우이론분석재기건방진설계연건평태상성공완성료내압500 V、도통전조0.85 Ω적공솔VDMOS기건적설계화방진.
