科技信息
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과기신식
SCIENTIFIC & TECHNICAL INFORMATION
2011年
1期
468
,共1页
赵祥敏%李敏君%张伟%赵文海
趙祥敏%李敏君%張偉%趙文海
조상민%리민군%장위%조문해
缓冲层%ZnO/AlN%双层膜%射频磁控溅射
緩遲層%ZnO/AlN%雙層膜%射頻磁控濺射
완충층%ZnO/AlN%쌍층막%사빈자공천사
大量研究表明ZnO薄膜已在气敏器件、表面声波器件和压敏器件等方面得到较为广泛的应用.由于Si与ZnO的晶格常数及热膨胀系数的失配度均很大,难以实现高质量ZnO薄膜的外延生长,采用中间缓冲层是一种值得研究的工艺.由于AIN的晶格结构与ZnO相同,所以可作为生长高质量ZnO薄膜的缓冲层,并改善ZnO/AIN界面结构.实验采用射频磁控溅射制备了ZnO/AIN双层膜,研究了薄膜的结构和形貌.结果表明,相比于相同工艺下制备的ZnO/Si薄膜,双层膜的生长取向依然是(002),应力减小,结晶质量更好.
大量研究錶明ZnO薄膜已在氣敏器件、錶麵聲波器件和壓敏器件等方麵得到較為廣汎的應用.由于Si與ZnO的晶格常數及熱膨脹繫數的失配度均很大,難以實現高質量ZnO薄膜的外延生長,採用中間緩遲層是一種值得研究的工藝.由于AIN的晶格結構與ZnO相同,所以可作為生長高質量ZnO薄膜的緩遲層,併改善ZnO/AIN界麵結構.實驗採用射頻磁控濺射製備瞭ZnO/AIN雙層膜,研究瞭薄膜的結構和形貌.結果錶明,相比于相同工藝下製備的ZnO/Si薄膜,雙層膜的生長取嚮依然是(002),應力減小,結晶質量更好.
대량연구표명ZnO박막이재기민기건、표면성파기건화압민기건등방면득도교위엄범적응용.유우Si여ZnO적정격상수급열팽창계수적실배도균흔대,난이실현고질량ZnO박막적외연생장,채용중간완충층시일충치득연구적공예.유우AIN적정격결구여ZnO상동,소이가작위생장고질량ZnO박막적완충층,병개선ZnO/AIN계면결구.실험채용사빈자공천사제비료ZnO/AIN쌍층막,연구료박막적결구화형모.결과표명,상비우상동공예하제비적ZnO/Si박막,쌍층막적생장취향의연시(002),응력감소,결정질량경호.
