中国科技信息
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중국과기신식
CHINA SCIENCE AND TECHNOLOGY INFORMATION
2010年
5期
50-51
,共2页
纳米级工艺%系统级芯片%物理设计%时序收敛%可制造性设计
納米級工藝%繫統級芯片%物理設計%時序收斂%可製造性設計
납미급공예%계통급심편%물리설계%시서수렴%가제조성설계
纳米级工艺下SOC芯片的物理设计面临巨大挑战,传统的深亚微米物理设计方案耗时长、难以实现设计的快速收敛,通过分析纳米级工艺下SOC芯片的物理设计流程,以一个多媒体SOC芯片设计为例,论述了纳米级工艺的中低功耗设计与分析、统计静态时序分析、信号完整性分析及可制造性设计等问题的解决方法,并在90纳米工艺下实现了芯片的物理设计版图.
納米級工藝下SOC芯片的物理設計麵臨巨大挑戰,傳統的深亞微米物理設計方案耗時長、難以實現設計的快速收斂,通過分析納米級工藝下SOC芯片的物理設計流程,以一箇多媒體SOC芯片設計為例,論述瞭納米級工藝的中低功耗設計與分析、統計靜態時序分析、信號完整性分析及可製造性設計等問題的解決方法,併在90納米工藝下實現瞭芯片的物理設計版圖.
납미급공예하SOC심편적물리설계면림거대도전,전통적심아미미물리설계방안모시장、난이실현설계적쾌속수렴,통과분석납미급공예하SOC심편적물리설계류정,이일개다매체SOC심편설계위례,논술료납미급공예적중저공모설계여분석、통계정태시서분석、신호완정성분석급가제조성설계등문제적해결방법,병재90납미공예하실현료심편적물리설계판도.
