现代电子技术
現代電子技術
현대전자기술
MODERN ELECTRONICS TECHNIQUE
2009年
7期
167-170
,共4页
MLC NANDFLASH控制器%BCH%编解码%伯利坎普-梅西算法%VLSI
MLC NANDFLASH控製器%BCH%編解碼%伯利坎普-梅西算法%VLSI
MLC NANDFLASH공제기%BCH%편해마%백리감보-매서산법%VLSI
为了满足存储器市场对低单比特成本和高存储密度的需求,在一款基于ARM926EJ的片上处理器芯片中,集成了一个可支持SLC/MLC NAND FLASH的控制器.为了纠正FLASH存储器芯片中的随机错误,采用了可纠4比特错误的BCH纠错码,该纠错码非常适应NAND类型存储器的随机错误特点.该控制器可支持多种类型的NAND FLASH.另外,对一种基于伯利坎普-梅西算法的高效BCH编解码器VLSI结构进行了研究,采用一种简化伯利坎普-梅西算法实现的低复杂度的关键方程解算机消除其速度瓶颈.芯片采用SMIC 0.13 μm CMOS工艺.测试结果证明,设计电路完全符合系统规范,性能表现优良.
為瞭滿足存儲器市場對低單比特成本和高存儲密度的需求,在一款基于ARM926EJ的片上處理器芯片中,集成瞭一箇可支持SLC/MLC NAND FLASH的控製器.為瞭糾正FLASH存儲器芯片中的隨機錯誤,採用瞭可糾4比特錯誤的BCH糾錯碼,該糾錯碼非常適應NAND類型存儲器的隨機錯誤特點.該控製器可支持多種類型的NAND FLASH.另外,對一種基于伯利坎普-梅西算法的高效BCH編解碼器VLSI結構進行瞭研究,採用一種簡化伯利坎普-梅西算法實現的低複雜度的關鍵方程解算機消除其速度瓶頸.芯片採用SMIC 0.13 μm CMOS工藝.測試結果證明,設計電路完全符閤繫統規範,性能錶現優良.
위료만족존저기시장대저단비특성본화고존저밀도적수구,재일관기우ARM926EJ적편상처리기심편중,집성료일개가지지SLC/MLC NAND FLASH적공제기.위료규정FLASH존저기심편중적수궤착오,채용료가규4비특착오적BCH규착마,해규착마비상괄응NAND류형존저기적수궤착오특점.해공제기가지지다충류형적NAND FLASH.령외,대일충기우백리감보-매서산법적고효BCH편해마기VLSI결구진행료연구,채용일충간화백리감보-매서산법실현적저복잡도적관건방정해산궤소제기속도병경.심편채용SMIC 0.13 μm CMOS공예.측시결과증명,설계전로완전부합계통규범,성능표현우량.
