北京师范大学学报（自然科学版）
北京師範大學學報（自然科學版）
북경사범대학학보（자연과학판）
JOURNAL OF BEIJING NORMAL UNIVERSITY
2000年
2期
184-187
,共4页
孙平%王引书%颜其礼%黄平%林永昌%王若桢
孫平%王引書%顏其禮%黃平%林永昌%王若楨
손평%왕인서%안기례%황평%림영창%왕약정
半导体纳米晶体%吸收光谱%量子尺寸效应
半導體納米晶體%吸收光譜%量子呎吋效應
반도체납미정체%흡수광보%양자척촌효응
采用两步退火方法获得了嵌埋于玻璃基体内CdSxSe1-x的半导体纳米晶体,其平均尺寸随退火时间的增加而增大.从实验测量的室温吸收谱上看到,当纳米晶体的平均直径从5.61nm减小到4.69nm时,其吸收边向高能方向移动了0.089eV.用有效质量近似模型计算了半导体纳米晶体的吸收边相对其体材料的移动,将理论计算与实验结果进行了比较.
採用兩步退火方法穫得瞭嵌埋于玻璃基體內CdSxSe1-x的半導體納米晶體,其平均呎吋隨退火時間的增加而增大.從實驗測量的室溫吸收譜上看到,噹納米晶體的平均直徑從5.61nm減小到4.69nm時,其吸收邊嚮高能方嚮移動瞭0.089eV.用有效質量近似模型計算瞭半導體納米晶體的吸收邊相對其體材料的移動,將理論計算與實驗結果進行瞭比較.
채용량보퇴화방법획득료감매우파리기체내CdSxSe1-x적반도체납미정체,기평균척촌수퇴화시간적증가이증대.종실험측량적실온흡수보상간도,당납미정체적평균직경종5.61nm감소도4.69nm시,기흡수변향고능방향이동료0.089eV.용유효질량근사모형계산료반도체납미정체적흡수변상대기체재료적이동,장이론계산여실험결과진행료비교.
