科技信息
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과기신식
SCIENTIFIC & TECHNICAL INFORMATION
2012年
3期
327-328
,共2页
《半导体器件》课程%宽禁带半导体%GaN基光电器件%差异性教学
《半導體器件》課程%寬禁帶半導體%GaN基光電器件%差異性教學
《반도체기건》과정%관금대반도체%GaN기광전기건%차이성교학
在《半导体器件》课程中加强宽禁带半导体器件的教学是科学技术与国民经济快速发展对高等学校基本职能所提出的根本要求.本文阐述了把第三代宽禁带半导体GaN基光电器件作为新型半导体器件进行重点教学的必要性和意义,同时也指出需要采用差异化的教学方法来讲授新型器件在结构、工作原理与光电性能等方面的特殊表现.
在《半導體器件》課程中加彊寬禁帶半導體器件的教學是科學技術與國民經濟快速髮展對高等學校基本職能所提齣的根本要求.本文闡述瞭把第三代寬禁帶半導體GaN基光電器件作為新型半導體器件進行重點教學的必要性和意義,同時也指齣需要採用差異化的教學方法來講授新型器件在結構、工作原理與光電性能等方麵的特殊錶現.
재《반도체기건》과정중가강관금대반도체기건적교학시과학기술여국민경제쾌속발전대고등학교기본직능소제출적근본요구.본문천술료파제삼대관금대반도체GaN기광전기건작위신형반도체기건진행중점교학적필요성화의의,동시야지출수요채용차이화적교학방법래강수신형기건재결구、공작원리여광전성능등방면적특수표현.
