现代电子技术
現代電子技術
현대전자기술
MODERN ELECTRONICS TECHNIQUE
2006年
20期
30-32
,共3页
CMOS工艺%低噪声放大器%LC谐振%两级共源
CMOS工藝%低譟聲放大器%LC諧振%兩級共源
CMOS공예%저조성방대기%LC해진%량급공원
采用0.18 μm CMOS工艺,两级共源结构实现了低功耗高增益的低噪声放大器设计.共源结构的级联采用电流共享技术,从而达到低功耗的目的.电路的输入端采用源极电感负反馈实现50 Ω阻抗匹配,同时两级共源电路之间通过串联谐振相级联.该LNA工作在5.2 GHz,1.8 V电源电压,能提供20 dB的增益(S21为20 dB),而噪声系数为1.9 dB,输入匹配较好,S11为-32 dB.
採用0.18 μm CMOS工藝,兩級共源結構實現瞭低功耗高增益的低譟聲放大器設計.共源結構的級聯採用電流共享技術,從而達到低功耗的目的.電路的輸入耑採用源極電感負反饋實現50 Ω阻抗匹配,同時兩級共源電路之間通過串聯諧振相級聯.該LNA工作在5.2 GHz,1.8 V電源電壓,能提供20 dB的增益(S21為20 dB),而譟聲繫數為1.9 dB,輸入匹配較好,S11為-32 dB.
채용0.18 μm CMOS공예,량급공원결구실현료저공모고증익적저조성방대기설계.공원결구적급련채용전류공향기술,종이체도저공모적목적.전로적수입단채용원겁전감부반궤실현50 Ω조항필배,동시량급공원전로지간통과천련해진상급련.해LNA공작재5.2 GHz,1.8 V전원전압,능제공20 dB적증익(S21위20 dB),이조성계수위1.9 dB,수입필배교호,S11위-32 dB.
