现代电子技术
現代電子技術
현대전자기술
MODERN ELECTRONICS TECHNIQUE
2011年
12期
145-147,151
,共4页
太阳电池%PECVD%减反射%氮化硅薄膜
太暘電池%PECVD%減反射%氮化硅薄膜
태양전지%PECVD%감반사%담화규박막
在太阳电池表面形成一层减反射薄膜是提高太阳电池的光电转换效率比较可行且降低成本的方法.应用PECVD(等离子体增强化学气相沉积)系统,采用SiH4和NH3气源以制备氮化硅薄膜.研究探索了PECVD生长氮化硅薄膜的基本物化性质以及在沉积过程中反应压强、反应温度、硅烷氨气流量比和微波功率对薄膜性质的影响.通过大量实验,分析了氮化硅薄膜的相对最佳沉积参数,并得出制作减反射膜的优化工艺.
在太暘電池錶麵形成一層減反射薄膜是提高太暘電池的光電轉換效率比較可行且降低成本的方法.應用PECVD(等離子體增彊化學氣相沉積)繫統,採用SiH4和NH3氣源以製備氮化硅薄膜.研究探索瞭PECVD生長氮化硅薄膜的基本物化性質以及在沉積過程中反應壓彊、反應溫度、硅烷氨氣流量比和微波功率對薄膜性質的影響.通過大量實驗,分析瞭氮化硅薄膜的相對最佳沉積參數,併得齣製作減反射膜的優化工藝.
재태양전지표면형성일층감반사박막시제고태양전지적광전전환효솔비교가행차강저성본적방법.응용PECVD(등리자체증강화학기상침적)계통,채용SiH4화NH3기원이제비담화규박막.연구탐색료PECVD생장담화규박막적기본물화성질이급재침적과정중반응압강、반응온도、규완안기류량비화미파공솔대박막성질적영향.통과대량실험,분석료담화규박막적상대최가침적삼수,병득출제작감반사막적우화공예.
