科技信息
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과기신식
SCIENTIFIC & TECHNICAL INFORMATION
2010年
20期
99,101
,共2页
电子束蒸发%磁控溅射%铬膜
電子束蒸髮%磁控濺射%鉻膜
전자속증발%자공천사%락막
通过对铬膜附着力及表面形貌的研究得出电子束蒸发制备铬膜适宜的工艺参数为本底真空3.0×10-3Pa,电压6KV,电子束流60mA,烘烤温度100℃;磁控溅射制备铬膜的最佳工艺参数为本底真空1×10-3Pa,溅射气压为1.2×10-1Pa,溅射功率为150W,基片温度100℃.
通過對鉻膜附著力及錶麵形貌的研究得齣電子束蒸髮製備鉻膜適宜的工藝參數為本底真空3.0×10-3Pa,電壓6KV,電子束流60mA,烘烤溫度100℃;磁控濺射製備鉻膜的最佳工藝參數為本底真空1×10-3Pa,濺射氣壓為1.2×10-1Pa,濺射功率為150W,基片溫度100℃.
통과대락막부착력급표면형모적연구득출전자속증발제비락막괄의적공예삼수위본저진공3.0×10-3Pa,전압6KV,전자속류60mA,홍고온도100℃;자공천사제비락막적최가공예삼수위본저진공1×10-3Pa,천사기압위1.2×10-1Pa,천사공솔위150W,기편온도100℃.
