现代电子技术
現代電子技術
현대전자기술
MODERN ELECTRONICS TECHNIQUE
2011年
18期
133-136
,共4页
张安元%吴志明%赵国栋%姜晶%郭振宇
張安元%吳誌明%趙國棟%薑晶%郭振宇
장안원%오지명%조국동%강정%곽진우
黑硅材料%湿法刻蚀%表面形貌%光吸收率
黑硅材料%濕法刻蝕%錶麵形貌%光吸收率
흑규재료%습법각식%표면형모%광흡수솔
采用一种简便的方法制备出具有很好光吸收性能的黑硅材料,利用化学气象沉积和光刻的方式在硅片(100)表面形成圆形Si3 N4掩膜,然后采用两种湿法刻蚀相结合方式来制备黑硅材料.首先采用碱刻蚀的方式对硅片进行各向异性刻蚀,刻蚀完成后在硅片表面形成尖锥形貌；后期利用金纳米颗粒作为催化剂,采用酸刻蚀的方式对硅片表面进行改性,在硅片表面形成多孔结构.这种黑硅材料在250～1 000 nm波段的光吸收率可以达到95％以上.
採用一種簡便的方法製備齣具有很好光吸收性能的黑硅材料,利用化學氣象沉積和光刻的方式在硅片(100)錶麵形成圓形Si3 N4掩膜,然後採用兩種濕法刻蝕相結閤方式來製備黑硅材料.首先採用堿刻蝕的方式對硅片進行各嚮異性刻蝕,刻蝕完成後在硅片錶麵形成尖錐形貌；後期利用金納米顆粒作為催化劑,採用痠刻蝕的方式對硅片錶麵進行改性,在硅片錶麵形成多孔結構.這種黑硅材料在250～1 000 nm波段的光吸收率可以達到95％以上.
채용일충간편적방법제비출구유흔호광흡수성능적흑규재료,이용화학기상침적화광각적방식재규편(100)표면형성원형Si3 N4엄막,연후채용량충습법각식상결합방식래제비흑규재료.수선채용감각식적방식대규편진행각향이성각식,각식완성후재규편표면형성첨추형모；후기이용금납미과립작위최화제,채용산각식적방식대규편표면진행개성,재규편표면형성다공결구.저충흑규재료재250～1 000 nm파단적광흡수솔가이체도95％이상.
