分析化学
分析化學
분석화학
CHINESE JOURNAL OF ANALYTICAL CHEMISTRY
2003年
10期
1191-1194
,共4页
任殿胜%王为%李雨辰%严如岳
任殿勝%王為%李雨辰%嚴如嶽
임전성%왕위%리우신%엄여악
砷化镓%X射线光电子能谱
砷化鎵%X射線光電子能譜
신화가%X사선광전자능보
用X射线光电子能谱(XPS),测量了Ga3d和As3d光电子峰的结合能值,指认了砷化镓(GaAs)晶片表面的氧化物组成,计算了表面氧化层的厚度,定量分析了表面的化学组成;比较了几种不同的砷化镓晶片表面的差异.结果表明:砷化镓表面的自然氧化层主要由Ga2O3、As2O5、As2O3和单质As组成,表面镓砷比明显偏离理想的化学计量比,而且,氧化层的厚度随镓砷比的增大而增加;溶液处理后,砷化镓表面得到了改善.讨论了可能的机理.
用X射線光電子能譜(XPS),測量瞭Ga3d和As3d光電子峰的結閤能值,指認瞭砷化鎵(GaAs)晶片錶麵的氧化物組成,計算瞭錶麵氧化層的厚度,定量分析瞭錶麵的化學組成;比較瞭幾種不同的砷化鎵晶片錶麵的差異.結果錶明:砷化鎵錶麵的自然氧化層主要由Ga2O3、As2O5、As2O3和單質As組成,錶麵鎵砷比明顯偏離理想的化學計量比,而且,氧化層的厚度隨鎵砷比的增大而增加;溶液處理後,砷化鎵錶麵得到瞭改善.討論瞭可能的機理.
용X사선광전자능보(XPS),측량료Ga3d화As3d광전자봉적결합능치,지인료신화가(GaAs)정편표면적양화물조성,계산료표면양화층적후도,정량분석료표면적화학조성;비교료궤충불동적신화가정편표면적차이.결과표명:신화가표면적자연양화층주요유Ga2O3、As2O5、As2O3화단질As조성,표면가신비명현편리이상적화학계량비,이차,양화층적후도수가신비적증대이증가;용액처리후,신화가표면득도료개선.토론료가능적궤리.
