现代电子技术
現代電子技術
현대전자기술
MODERN ELECTRONICS TECHNIQUE
2009年
20期
200-202
,共3页
VDMOS%电容%TCAD%开关时间
VDMOS%電容%TCAD%開關時間
VDMOS%전용%TCAD%개관시간
分析影响VDMOS开关特性的各部分电容结构及参数,为了减少寄生电容,提高开关速度,在此提出一种减少VDMOS寄生电容的新型结构.该方法是部分去除传统VDMOS的neck区多晶硅条,并利用多晶硅作掩模注入P型区,改变VDMOS栅下耗尽区形状,减小寄生电容.在此增加了neck区宽度,并增加了P阱注入.利用TCAD工具模拟,结果表明:这种新型结构与传统VDMOS相比,能有效减小器件的寄生电容,减少橱电荷量,提高开关时间,提高器件的动态性能.
分析影響VDMOS開關特性的各部分電容結構及參數,為瞭減少寄生電容,提高開關速度,在此提齣一種減少VDMOS寄生電容的新型結構.該方法是部分去除傳統VDMOS的neck區多晶硅條,併利用多晶硅作掩模註入P型區,改變VDMOS柵下耗儘區形狀,減小寄生電容.在此增加瞭neck區寬度,併增加瞭P阱註入.利用TCAD工具模擬,結果錶明:這種新型結構與傳統VDMOS相比,能有效減小器件的寄生電容,減少櫥電荷量,提高開關時間,提高器件的動態性能.
분석영향VDMOS개관특성적각부분전용결구급삼수,위료감소기생전용,제고개관속도,재차제출일충감소VDMOS기생전용적신형결구.해방법시부분거제전통VDMOS적neck구다정규조,병이용다정규작엄모주입P형구,개변VDMOS책하모진구형상,감소기생전용.재차증가료neck구관도,병증가료P정주입.이용TCAD공구모의,결과표명:저충신형결구여전통VDMOS상비,능유효감소기건적기생전용,감소주전하량,제고개관시간,제고기건적동태성능.
